У Вікіпедыі ёсць артыкулы пра іншых асоб з прозвішчам Гурскі. Леанід Ільіч Гурскі (нар. 10 студзеня 1936, Мінск) — беларускі вучоны ў галіне фізікі цвёрдага цела, атамнай фізікі, мікраэлектронікі і матэрыялазнаўства. Член-карэспандэнт Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі (1994), доктар тэхнічных навук (1973), прафесар (1978).
Скончыў Беларускі політэхнічны інстытут (1959).
У 1956—1961 гадах канструктар спецыяльнага канструктарскага бюро Саўнаргаса БССР, у 1961—1993 гадах аспірант, малодшы навуковы супрацоўнік, вучоны сакратар, старшы навуковы супрацоўнік, намеснік дырэктара, загадчык лабараторыі, загадчык аддзела Фізіка-тэхнічнага інстытута АН Беларусі.
З 1993 года намеснік старшыні — галоўны вучоны сакратар Вышэйшай атэстацыйнай камісіі пры Савеце Міністраў Рэспублікі Беларусь (з 1995 г. — Дзяржаўнага вышэйшага атэстацыйнага камітэта Рэспублікі Беларусь). У 1995—2001 гадах начальнік аддзела прыродазнаўчых навук Дзяржаўнага вышэйшага атэстацыйнага камітэта Рэспублікі Беларусь.
З 2001 года прафесар кафедры Беларускага дзяржаўнага ўніверсітэта інфарматыкі і радыёэлектронікі[1][2][3].
Дзяржаўная прэмія БССР (1984) за стварэнне навуковых асноў, распрацоўку тэхналогіі і арганізацыю высокарэнтабельнай масавай вытворчасці нізкапарогавых вялікіх інтэгральных мікрасхем на камплементарных метал-вокісел-паўправаднік структурах.
Упершыню на аснове прапанаванай мадэлі атама, якая змяшчае вірыял, і дынамічных сіметрый фізічна абгрунтаваў сіметрыйныя ўласцівасці Перыядычнай сістэмы і разлічыў мультыплеты, змест якіх цалкам пацверджаны эксперыментальна ўсталяваным складам электронных абалочак для ўсіх хімічных элементаў. Эксперыментальна выявіў новыя з’явы — высокатэмпературная першасная рэкрышталізацыя ў нанапамерных гетэрагенных матэрыялах; утварэнне пры дэфармацыі металаў ячэістай дыслакацыйнай структуры ў аб’ёме і аморфнага пласта на паверхні; анамальнае павелічэнне шчыльнасці дыслакацый пры дэфармацыі зрухам; утварэнне ў структурах метал-дыэлектрык-паўправаднік радыяцыйных дэфектаў пры высокаполевай інжэкцыі электронаў; анамальнае павелічэнне фіксаванага зарада пры высокіх тэмпературах у дыяксідзе крэмнію; утварэнне ў шматкампанентных сістэмах злучэнняў і азеатропных сумесяў, недысацыіруючых пры змене агрэгатнага стану рэчыва. Стварыў некалькі пакаленняў прыбораў і аўтаматызаваных комплексаў для кантролю фізічных уласцівасцей металаў, паўправаднікоў, дыэлектрыкаў, характарыстык кандэнсатараў, дыёдаў, транзістараў, мікрасхем, вадкакрышталічных індыкатараў, прэцызійных рэзістараў, цэлюлозы, матэрыялаў у глыбокім вакууме, дынамічных характарыстык пры выпрабаванні тарпед, аптычных характарыстык выходных вокнаў звышмагутных ВК-лазераў. На эфектах рэзананснага тунэлявання электронаў у квантуючых арыентаваных палях структур метал-дыэлектрык-паўправаднік з грэйтынгавай кіруючай сістэмай распрацаваў метады фарміравання квантавых ям і квантавых кропак. Удзельнічаў у работах па стварэнні на эфектах дыфракцыі паскораных электронаў у крышталях перабудоўваемага рэнтгенаўскага лазера. Прапанаваў канцэпцыю безытэрацыйнага праектавання мікрасхем, якая рэалізавана на НВА «Інтэграл» пры вытворчасці мікрапрацэсарных комплексаў, мікраЭВМ і больш за 100 відаў іншых мікрасхем для прамысловай і бытавой тэхнікі.
Аўтар больш за 250 навуковых прац, у тым ліку 7 манаграфій, 65 вынаходстваў.